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实验室用低压化学气相沉积设备使用注意事项

发布时间:2021-08-17   点击次数:99次
  实验室用低压化学气相沉积设备是通过加热使气态化合物在低压下反应并沉积在基板表面,形成稳定的固体薄膜。由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,可以采用密集加载,提高生产率,在基板表面获得均匀性好的薄膜沉积层。LPCVD用于沉积多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和难熔金属硅化物。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电、MEMS等行业。
  1、温度控制采用串级控制方式,实时控制实际基板温度。
  2、装载采用碳化硅悬臂桨,避免与工艺管道摩擦产生粉尘。
  3、反应气分子供气和群发供气,避免气相反应产生粉尘,提高均匀性。
  4、工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和重复性。
  实验室用低压化学气相沉积设备采用双层外壳和风冷系统,使炉体表面温度低于55℃,并在炉体底部安装一对滑轨。炉体可手动滑动,以满足特殊工艺快速升温和降温的要求。使用注意事项如下:
  1、炉管内气压不得高于0.02MPa
  2、炉体温度高于1000℃时,炉管不得处于真空状态。炉管内的气压应与大气压相等。常压下进入炉管的气体流量应小于200sccm,以免冷空气流对加热的石英管产生影响
  3、石英管长期使用温度小于1100℃
  4、实验室用低压化学气相沉积设备对于样品加热实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进水阀。如果需要关闭气阀来加热样品,请随时注意压力表的指示。如果气压指示大于0.02MPa,必须立即打开放空阀,以防发生意外(如炉管破裂、法兰飞扬等)。

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