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知道GaAs/GaN用快速退火炉该有怎样的配置和特点吗?

发布时间:2021-03-02   点击次数:68次
  GaAs/GaN用快速退火炉使用方便,易于操作,加热元件采用红外灯管,加热速度快,节省时间。滑动法兰简化了样品的装卸过程,操作方便,可快速获得实验结果,省去了重复的法兰安装过程,减少了炉管安装造成的损坏。那么你知道它该有怎样的配置和特点吗?
  GaAs/GaN快速退火炉适用于CVD工艺,例如碳化硅涂层,陶瓷基板电导率测试,ZnO纳米结构的受控生长,陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结和其他实验。此CVD系统配置:1200度开放式真空管式炉(可选单温度区,双温度区)。多通道质量流量控制系统,真空系统(可以选择中真空或高真空)。
 

GaAs/GaN用快速退火炉

  1、控制电路采用模糊PID程序控制技术,具有温度控制精度高,热惯性低,温度超调,性能可靠,操作简单的特点。
  2、气路快速连接法兰结构采用公司*的知识产权设计,提高了操作的便利性。
  3、中真空系统具有自动控制真空度上限和下限的功能,高真空系统使用高压耐冲击分子泵。
  GaAs/GaN用快速退火炉易于操作,加热元件采用红外灯管,加热速度快,节省时间。滑动法兰简化了样品的装卸过程,操作方便。实验结果可以很快获得,并且省去了重复的方法,蓝色的安装过程减少了由于安装引起的炉管损坏。

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